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SQJ912AEP-T1_GE3
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SQJ912AEP-T1_GE3 Especificaciones técnicas
MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO-8
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices |
Manufacturer | Vishay / Siliconix |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Series | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
Power - Max | 48W |
Package / Case | PowerPAK® SO-8 Dual |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 38nC @ 10V |
FET Feature | Standard |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 30A |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 Dual |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.3 mOhm @ 9.7A, 10V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1835pF @ 20V |
FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
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Otros incluyen "SQJ91" partes
Las siguientes partes incluyen 'SQJ91'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
SQJ910AEP-T1-GE3 | Vishay Precision Group | CIs Calientes Especializados | 412 |
SQJ910AEP-T1_GE3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices | 15207 |
SQJ910AEP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Matrices de transistores MOSFETs | |
SQJ910AEP-T2_GE3 | Vishay Siliconix | Matrices de transistores MOSFETs | |
SQJ912AEP-T1 | VISHAY | CIs Calientes Especializados | 2783 |
SQJ912AEP-T1-GE3 | Vishay Precision Group | CIs Calientes Especializados | 755 |
SQJ912AEP-T1_GE3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices | 3094 |
SQJ912AEP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Matrices de transistores MOSFETs | |
SQJ912BEP-T1_GE3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices | 2590 |
SQJ912BEP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Matrices de transistores MOSFETs |
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