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SQJ260EP-T1_GE3 Especificaciones técnicas

MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Series Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Power - Max 27W (Tc), 48W (Tc)
Package / Case PowerPAK® SO-8 Dual
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1100pF @ 25V, 2500pF @ 25V
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 20A (Tc), 54A (Tc)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
Rds On (Max) @ Id, Vgs 19 mOhm @ 6A, 10V, 8.5 mOhm @ 10A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Other Names SQJ260EP-T1_GE3TR
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 10V, 40nC @ 10V
FET Feature Standard
Detailed Description Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 20A (Tc), 54A (Tc) 27W (Tc), 48W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
SQJ260EP-T1_GE3 Vishay Siliconix Matrices de transistores MOSFETs
SQJ262EP-T1_GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 2548
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SQJ260EP-T1_GE3 fabricantes de marca: Electro-Films (EFI) / Vishay, Bonchip existencias, SQJ260EP-T1_GE3 precio de referencia. SQJ260EP-T1_GE3 parámetros, SQJ260EP-T1_GE3 Hoja de datos PDF y descarga de la descripción del diagrama de pines. Puede usar el SQJ260EP-T1_GE3 Conectores enchufables, DSP Hoja de datos PDF, buscar SQJ260EP-T1_GE3 diagrama de pines y diagrama de circuito y método de uso de la función, SQJ260EP-T1_GE3 tutoriales de electrónica. Puedes descargarlos desde el Bonchip.
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