SPU30P06P Especificaciones técnicas

MOSFET P-CH 60V 30A IPAK

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 1.7mA
Supplier Device Package PG-TO251-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 75 mOhm @ 21.5A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1535pF @ 25V
FET Type P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series SIPMOS®
Power Dissipation (Max) 125W (Tc)
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 48nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 30A (Tc)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
SPU30N03L S CIs Calientes Especializados 5010
SPU30N03L MOS VBSEMI CIs Calientes Especializados 5235
SPU30N03S2-08 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 5000
SPU30N03S2L-10 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 5000
SPU30P06P Rochester Electronics, LLC SPU30P06P

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