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SIZ730DT-T1-GE3 Especificaciones técnicas

MOSFET 2N-CH 30V 16A 6-POWERPAIR

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA
Series TrenchFET®
Power - Max 27W, 48W
Package / Case 6-PowerPair™
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 830pF @ 15V
FET Type 2 N-Channel (Half Bridge)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 16A, 35A
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package 6-PowerPair™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.3 mOhm @ 15A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Other Names SIZ730DT-T1-GE3TR SIZ730DTT1GE3
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 24nC @ 10V
FET Feature Logic Level Gate
Detailed Description Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 16A, 35A 27W, 48W Surface Mount 6-PowerPair™
Base Part Number SIZ730
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
SIZ730DT-T1-GE3 Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 1154
SIZ730DT-T1-GE3 Vishay Siliconix Matrices de transistores MOSFETs

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SIZ730DT-T1-GE3 fabricantes de marca: Electro-Films (EFI) / Vishay, Bonchip existencias, SIZ730DT-T1-GE3 precio de referencia. SIZ730DT-T1-GE3 parámetros, SIZ730DT-T1-GE3 Hoja de datos PDF y descarga de la descripción del diagrama de pines. Puede usar el SIZ730DT-T1-GE3 Conectores enchufables, DSP Hoja de datos PDF, buscar SIZ730DT-T1-GE3 diagrama de pines y diagrama de circuito y método de uso de la función, SIZ730DT-T1-GE3 tutoriales de electrónica. Puedes descargarlos desde el Bonchip.
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