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SIS780DN-T1-GE3
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SIS780DN-T1-GE3 Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH 30V 18A POWERPAK1212
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | Electro-Films (EFI) / Vishay |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.3V @ 250µA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13.5 mOhm @ 15A, 10V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Other Names | SIS780DN-T1-GE3-ND SIS780DN-T1-GE3TR |
Mounting Type | Surface Mount |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 722pF @ 15V |
FET Type | N-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Detailed Description | N-Channel 30V 18A (Tc) 27.7W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8 |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±20V |
Supplier Device Package | PowerPAK® 1212-8 |
Power Dissipation (Max) | 27.7W (Tc) |
Package / Case | PowerPAK® 1212-8 |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 24.5nC @ 10V |
FET Feature | Schottky Diode (Body) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 18A (Tc) |
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Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
SIS780DN | SI | CIs Calientes Especializados | 30 |
SIS780DN-T1-E3 | VISHAY | CIs Calientes Especializados | 21500 |
SIS780DN-T1-GE3 | VISHAY | CIs Calientes Especializados | 7026 |
SIS780DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Transistores MOSFET individuales | |
SIS780DN-T1-GE3 MOS | VBSEMI | CIs Calientes Especializados | 6299 |
SIS782DN-T1-E3 | VISHAY | CIs Calientes Especializados | 2625 |
SIS782DN-T1-GE3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 16678 |
SiS782DN-T1-GE3 | VISHAY | CIs Calientes Especializados | 5634 |
SIS782DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Transistores MOSFET individuales |
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