SIRA20DP-T1-RE3 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CHAN 25V POWERPAK SO-8

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.1V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 0.58 mOhm @ 20A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 10850pF @ 10V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 81.7A (Ta), 100A (Tc)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) +16V, -12V
Series TrenchFET®
Power Dissipation (Max) 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Package / Case PowerPAK® SO-8
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 200nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 25V
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SIRA20DP-T1-RE3 Documentos

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Las siguientes partes incluyen  'SIRA2' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
SIRA20DP-T1-GE3 VISHAY CIs Calientes Especializados 9264
SIRA20DP-T1-RE3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 423
SIRA20DP-T1-RE3 Vishay Siliconix Transistores MOSFET individuales
SIRA22ADP-T1-GE3 Vishay Precision Group CIs Calientes Especializados 5863
SIRA22DP-T1-RE3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2736
SIRA24DP-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2673
SIRA24DP-T1-GE3 Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2725
SIRA24DP-T1-GE3 Vishay Siliconix Transistores MOSFET individuales
SIRA26DP-T1-GE3 Vishay Precision Group CIs Calientes Especializados 3334
SIRA26DP-T1-RE3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2509

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