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SIR688DP-T1-GE3 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package PowerPAK® SO-8
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.5 mOhm @ 20A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3105pF @ 30V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchFET®
Power Dissipation (Max) 5.4W (Ta), 83W (Tc)
Package / Case PowerPAK® SO-8
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 66nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 60A (Tc)
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Otros incluyen   "SIR68"   partes

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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
SIR680ADP-T1-RE3 Vishay Precision Group CIs Calientes Especializados 2375
SIR680DP-T1-RE3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2600
SIR680DP-T1-RE3 Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2692
SIR680DP-T1-RE3 Vishay Siliconix Transistores MOSFET individuales
SIR680LDP-T1-RE3 Vishay Precision Group CIs Calientes Especializados 598
SIR688DP-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2598
SIR688DP-T1-GE3 Vishay Siliconix Transistores MOSFET individuales

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