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SIHF10N40D-E3
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SIHF10N40D-E3 Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH 400V 10A TO-220 FPAK
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | Vishay / Siliconix |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Supplier Device Package | TO-220 Full Pack |
Power Dissipation (Max) | 33W (Tc) |
Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
Mounting Type | Through Hole |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30nC @ 10V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A (Tc) |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600 mOhm @ 5A, 10V |
Packaging | Bulk |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 526pF @ 100V |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 400V |
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Hojas de datos
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Las siguientes partes incluyen 'SIHF1'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
SIHF10N40D | VB | CIs Calientes Especializados | 276 |
SIHF10N40D MOS | VBSEMI | CIs Calientes Especializados | 5228 |
SIHF10N40D-E3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 5000 |
SIHF10N40D-E3 | Vishay Siliconix | Transistores MOSFET individuales | |
SiHF12N50C | Vishay | CIs Calientes Especializados | 533 |
SIHF12N50C TK12A50D | Toshiba Semiconductor and Storage | CIs Calientes Especializados | 32363 |
SIHF12N50C-E3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 7920 |
SIHF12N50C-E3 | Vishay / Siliconix | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 7920 |
SIHF12N50C-E3 | Vishay Siliconix | Transistores MOSFET individuales | |
SIHF12N50C-E3 MOS | Vishay Precision Group | CIs Calientes Especializados | 3112 |
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