SIA811ADJ-T1-GE3 Especificaciones técnicas

MOSFET P-CH 20V 4.5A PPAK SC70-6

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series LITTLE FOOT®
Power Dissipation (Max) 1.8W (Ta), 6.5W (Tc)
Package / Case PowerPAK® SC-70-6 Dual
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 345pF @ 10V
FET Type P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V
Detailed Description P-Channel 20V 4.5A (Tc) 1.8W (Ta), 6.5W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Dual
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±8V
Supplier Device Package PowerPAK® SC-70-6 Dual
Rds On (Max) @ Id, Vgs 116 mOhm @ 2.8A, 4.5V
Packaging Tape & Reel (TR)
Other Names SIA811ADJ-T1-GE3-ND SIA811ADJ-T1-GE3TR SIA811ADJT1GE3
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13nC @ 8V
FET Feature Schottky Diode (Isolated)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.5A (Tc)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
SIA8101 N/A CIs Calientes Especializados 1318
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