SIA477EDJ-T1-GE3 Especificaciones técnicas

MOSFET P-CH 12V 12A SC-70-6L

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Supplier Device Package PowerPAK® SC-70-6 Single
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14 mOhm @ 7A, 4.5V
Packaging Tape & Reel (TR)
Other Names SIA477EDJ-T1-GE3-ND SIA477EDJ-T1-GE3TR
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 87nC @ 8V
FET Feature -
Detailed Description P-Channel 12V 12A (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Single
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchFET®
Power Dissipation (Max) -
Package / Case PowerPAK® SC-70-6
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2970pF @ 6V
FET Type P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 12A (Tc)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
SiA471DJ Vishay Precision Group CIs Calientes Especializados 1304
SIA471DJ-T1-GE3 Vishay Precision Group CIs Calientes Especializados 4040
SIA472EDJ-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2786
SIA477EDJ-T1-GE3 Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2672
SIA477EDJ-T1-GE3 Vishay Siliconix Transistores MOSFET individuales
SIA477EDJT-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2976
SIA477EDJT-T1-GE3 Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 890

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