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SI7370DP-T1-E3 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 60V 9.6A PPAK SO-8

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchFET®
Power Dissipation (Max) 1.9W (Ta)
Package / Case PowerPAK® SO-8
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 57nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package PowerPAK® SO-8
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11 mOhm @ 12A, 10V
Packaging Original-Reel®
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds -
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9.6A (Ta)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
SI7370ADP-T1-E3 VISHAY CIs Calientes Especializados 2500
SI7370ADP-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2997
SI7370ADP-T1-GE3 Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 6950
SI7370DP V CIs Calientes Especializados 3436
SI7370DP-T1 VISHAY CIs Calientes Especializados 2060
SI7370DP-T1-E3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 10886
SI7370DP-T1-E3 Vishay Siliconix Transistores MOSFET individuales
SI7370DP-T1-E3 MOS Vishay Precision Group CIs Calientes Especializados 638
SI7370DP-T1-GE3 Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 3438
SI7370DP-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 11277

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