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SI5915BDC-T1-GE3 Especificaciones técnicas

MOSFET 2P-CH 8V 4A 1206-8

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Series TrenchFET®
Power - Max 3.1W
Package / Case 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14nC @ 8V
FET Feature Logic Level Gate
Detailed Description Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 8V 4A 3.1W Surface Mount 1206-8 ChipFET™
Base Part Number SI5915
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package 1206-8 ChipFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 70 mOhm @ 3.3A, 4.5V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 420pF @ 4V
FET Type 2 P-Channel (Dual)
Drain to Source Voltage (Vdss) 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4A
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SI5915BDC-T1-GE3 Documentos

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Las siguientes partes incluyen  'SI591' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
SI5913DC-T1-E3 Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 3267
SI5913DC-T1-E3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 6289
SI5913DC-T1-E3 MOS Vishay Precision Group CIs Calientes Especializados 3265
SI5913DC-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 18805
SI5913DC-T1-GE3 Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 1783
SI5915BDC-T1-E3 Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 5000
SI5915BDC-T1-E3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 5000
SI5915BDC-T1-E3 Vishay Siliconix Matrices de transistores MOSFETs
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