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SI5429DU-T1-GE3
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SI5429DU-T1-GE3 Especificaciones técnicas
MOSFET P-CH 30V 12A PWR PK
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | Vishay / Siliconix |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Supplier Device Package | PowerPAK® ChipFet Dual |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 15 mOhm @ 7A, 10V |
Packaging | Original-Reel® |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2320pF @ 15V |
FET Type | P-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | TrenchFET® |
Power Dissipation (Max) | 3.1W (Ta), 31W (Tc) |
Package / Case | PowerPAK® ChipFET™ Dual |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 63nC @ 10V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12A (Tc) |
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Otros incluyen "SI542" partes
Las siguientes partes incluyen 'SI542'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
SI5424DC-T1-E3 | Vishay / Siliconix | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 100706 |
SI5424DC-T1-E3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 100706 |
SI5424DC-T1-GE3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 53120 |
SI5424DC-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 53120 |
SI5424DC-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Transistores MOSFET individuales | |
SI5424DC-T1-GE3 MOS | Vishay Precision Group | CIs Calientes Especializados | 48394 |
SI5429DU-T1-GE3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 282382 |
SI5429DU-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Transistores MOSFET individuales |
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