SI4972DY-T1-E3 Especificaciones técnicas

MOSFET 2N-CH 30V 10.8A 8SOIC

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Series TrenchFET®
Power - Max 3.1W, 2.5W
Package / Case 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 28nC @ 10V
FET Feature Standard
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 10.8A, 7.2A
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package 8-SO
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14.5 mOhm @ 6A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1080pF @ 15V
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
SI4971DY SILICON CIs Calientes Especializados 979
SI4971DY-T1-E3 Original CIs Calientes Especializados 415
SI4972DY VISHIAY CIs Calientes Especializados 798200
SI4972DY-T1-E3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 54728
SI4972DY-T1-E3 Vishay Siliconix Matrices de transistores MOSFETs
SI4972DY-T1-E3 MOS VBSEMI CIs Calientes Especializados 19361
SI4972DY-T1-E3 MOSFETIGBTIC Vishay Precision Group CIs Calientes Especializados 35373
SI4972DY-T1-GE3 Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 303
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