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SI1926DL-T1-E3 Especificaciones técnicas

MOSFET 2N-CH 60V 0.37A SC-70-6

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Series TrenchFET®
Power - Max 510mW
Package / Case 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.4nC @ 10V
FET Feature Logic Level Gate
Detailed Description Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 370mA 510mW Surface Mount SC-70-6 (SOT-363)
Base Part Number SI1926
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package SC-70-6 (SOT-363)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.4 Ohm @ 340mA, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Other Names SI1926DL-T1-E3TR SI1926DLT1E3
Mounting Type Surface Mount
Manufacturer Standard Lead Time 33 Weeks
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 18.5pF @ 30V
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 370mA
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
SI1922EDH-T1-GE3 Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 2245
SI1922EDH-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 53888
SI1922EDH-T1-GE3 Vishay Siliconix Matrices de transistores MOSFETs
SI1926A Vishay Precision Group CIs Calientes Especializados 60
SI1926DL-T1-E3 Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 8448
SI1926DL-T1-E3 Vishay Siliconix Matrices de transistores MOSFETs
SI1926DL-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 44541
SI1926DL-T1-GE3 Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 3867
SI1926DL-T1-GE3 Vishay Siliconix Matrices de transistores MOSFETs
Si1926DL-T1-GE3 MOS Vishay Precision Group CIs Calientes Especializados 3724

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