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SI1900DL-T1-E3 Especificaciones técnicas

MOSFET 2N-CH 30V 0.59A SC70-6

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Series TrenchFET®
Power - Max 270mW
Package / Case 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.4nC @ 10V
FET Feature Logic Level Gate
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 590mA
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package SC-70-6 (SOT-363)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 480 mOhm @ 590mA, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds -
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
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SI1900DL-T1-E3 Documentos

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Otros incluyen   "SI190"   partes

Las siguientes partes incluyen  'SI190' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
SI19002CSU SILICON CIs Calientes Especializados 2639
SI1900DL VISHAY CIs Calientes Especializados 676
SI1900DL-T1 VISHAY CIs Calientes Especializados 2338
SI1900DL-T1-E3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 7312
SI1900DL-T1-E3 Vishay Siliconix Matrices de transistores MOSFETs
SI1900DL-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 23708
Si1900DL-T1-GE3 VISHAY CIs Calientes Especializados 4719
SI1900DL-T1-GE3 Vishay Siliconix Matrices de transistores MOSFETs
SI1900DL-T1-GE3 MOS VBSEMI CIs Calientes Especializados 17952
SI19011CLU SILICON CIs Calientes Especializados 7800

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