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S71KL512SC0BHB000
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S71KL512SC0BHB000 Especificaciones técnicas
IC FLASH RAM 512MIT PARALLEL
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Circuitos Integrados (ICs) / Memoria |
Manufacturer | Cypress Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Write Cycle Time - Word, Page | - |
Technology | FLASH, DRAM |
Operating Temperature | -40°C ~ 105°C (TA) |
Memory Type | Non-Volatile |
Memory Interface | Parallel |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Clock Frequency | 100MHz |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Voltage - Supply | 2.7 V ~ 3.6 V |
Series | Automotive, AEC-Q100, HyperFlash™ + HyperRAM™ KL |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 3 (168 Hours) |
Memory Size | 512Mbit Flash, 64Mbit RAM |
Memory Format | FLASH, RAM |
Detailed Description | FLASH, DRAM Memory IC 512Mbit Flash, 64Mbit RAM Parallel 100MHz |
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Las siguientes partes incluyen 'S71KL'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
S71KL256SC0BHB000 | Cypress Semiconductor | Memoria | 2734 |
S71KL256SC0BHB000 | Cypress Semiconductor Corp | Memoria | |
S71KL256SC0BHB003 | Cypress Semiconductor | Memoria | 2631 |
S71KL256SC0BHB003 | Cypress Semiconductor Corp | Memoria | |
S71KL512SC0BHB000 | Cypress Semiconductor Corp | Memoria | |
S71KL512SC0BHB003 | Cypress Semiconductor | Memoria | 2577 |
S71KL512SC0BHB003 | Cypress Semiconductor Corp | Memoria | |
S71KL512SC0BHV000 | Cypress Semiconductor | Memoria | 2625 |
S71KL512SC0BHV000 | Cypress Semiconductor Corp | Memoria | |
S71KL512SC0BHV003 | Cypress Semiconductor | Memoria | 2730 |
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