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S29VS064RABBHI010
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S29VS064RABBHI010 Especificaciones técnicas
IC FLASH 64M PARALLEL 44FBGA
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Circuitos Integrados (ICs) / Memoria |
Manufacturer | Cypress Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Write Cycle Time - Word, Page | 60ns |
Technology | FLASH - NOR |
Series | VS-R |
Package / Case | 44-VFBGA |
Operating Temperature | -40°C ~ 85°C (TA) |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 3 (168 Hours) |
Memory Size | 64Mb (4M x 16) |
Memory Format | FLASH |
Detailed Description | FLASH - NOR Memory IC 64Mb (4M x 16) Parallel 108MHz 80ns 44-FBGA (7.5x5) |
Access Time | 80ns |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Voltage - Supply | 1.7 V ~ 1.95 V |
Supplier Device Package | 44-FBGA (7.5x5) |
Packaging | Tray |
Other Names | 428-4040 S29VS064RABBHI010-ND |
Mounting Type | Surface Mount |
Memory Type | Non-Volatile |
Memory Interface | Parallel |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Clock Frequency | 108MHz |
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Otros incluyen "S29VS" partes
Las siguientes partes incluyen 'S29VS'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
S29VS032KOPBJW010 | Cypress Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 643 |
S29VS064RABBHI000 | Cypress Semiconductor | Memoria | 2885 |
S29VS064RABBHI000 | Cypress Semiconductor Corp | Memoria | |
S29VS064RABBHI010 | Cypress Semiconductor Corp | Memoria | |
S29VS064RABBHW000 | Cypress Semiconductor | Memoria | 2519 |
S29VS064RABBHW010 | Cypress Semiconductor | Memoria | 2544 |
S29VS064RABBHW010 | Cypress Semiconductor Corp | Memoria | |
S29VS064RABBHW013 | Cypress Semiconductor | Memoria | 2607 |
S29VS128RABBHI000 | Cypress Semiconductor | Memoria | 2709 |
S29VS128RABBHI003 | Cypress Semiconductor | Memoria | 0 |
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