PSMN1R6-40YLC:115 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 40V 100A POWERSO8-4

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Nexperia
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1.95V @ 1mA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.55 mOhm @ 25A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Other Names 1727-1899-2 568-11633-2 568-11633-2-ND 934096952115 PSMN1R6-40YLC:115-ND
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 126nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 100A (Tc)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package LFPAK56, Power-SO8
Power Dissipation (Max) 288W (Tc)
Package / Case SOT-1023, 4-LFPAK
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 7790pF @ 20V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Detailed Description N-Channel 40V 100A (Tc) 288W (Tc) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
PSMN102-200Y Nexperia CIs Calientes Especializados 6911
PSMN102-200Y ,115 IC NXP Semiconductors / Freescale CIs Calientes Especializados 311
PSMN102-200Y,115 Nexperia Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2534
PSMN102-200Y,115 Nexperia USA Inc. Transistores MOSFET individuales
PSMN130-200D PHILIPS CIs Calientes Especializados 10650
PSMN130-200D MOS NXP Semiconductors / Freescale CIs Calientes Especializados 302
PSMN130-200D+118 NXP CIs Calientes Especializados 523
PSMN130-200D,118 Nexperia Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2592
PSMN130-200D,118 Nexperia USA Inc. Transistores MOSFET individuales
PSMN165-200K PHI CIs Calientes Especializados 2258

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