PRMD10Z Especificaciones técnicas

PRMD10/SOT1268/DFN1412-6

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices, Prepolarizados
Manufacturer Nexperia
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Transistor Type 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
Series Automotive, AEC-Q101
Resistor - Base (R1) 2.2 kOhms
Packaging Original-Reel®
Other Names 1727-7389-6
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Detailed Description Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP 50V 100mA 230MHz 480mW Surface Mount DFN1412-6
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 100mV @ 250µA, 5mA
Supplier Device Package DFN1412-6
Resistor - Emitter Base (R2) 47 kOhms
Power - Max 480mW
Package / Case 6-XFDFN Exposed Pad
Mounting Type Surface Mount
Manufacturer Standard Lead Time 13 Weeks
Frequency - Transition 230MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 10mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
PRMD10Z Nexperia USA Inc. Matrices de transistores BJT
PRMD12Z Nexperia Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices, Prepolarizados 2574
PRMD12Z Nexperia USA Inc. Matrices de transistores BJT
PRMD13Z Nexperia Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices, Prepolarizados 2788
PRMD13Z Nexperia USA Inc. Matrices de transistores BJT
PRMD16Z Nexperia Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices, Prepolarizados 0
PRMD16Z Nexperia USA Inc. Matrices de transistores BJT

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