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PN4355 Especificaciones técnicas

TRANS PNP 60V 0.8A TO-92

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 60V
Transistor Type PNP
Power - Max 625mW
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type Through Hole
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Detailed Description Bipolar (BJT) Transistor PNP 60V 800mA 625mW Through Hole TO-92-3
Current - Collector Cutoff (Max) 50nA (ICBO)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1V @ 100mA, 1A
Supplier Device Package TO-92-3
Packaging Bulk
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Frequency - Transition -
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 10mA, 10V
Current - Collector (Ic) (Max) 800mA
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Otros incluyen   "PN435"   partes

Las siguientes partes incluyen  'PN435' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
PN4355 Fairchild/ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2633
PN4355 Rochester Electronics, LLC Transistores BJT individuales
PN4356 NS CIs Calientes Especializados 2478

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