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PMGD8000LN,115 Especificaciones técnicas

MOSFET 2N-CH 30V 0.125A 6TSSOP

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices
Manufacturer NXP Semiconductors / Freescale
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 100µA
Series TrenchMOS™
Power - Max 200mW
Package / Case 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.35nC @ 4.5V
FET Feature Logic Level Gate
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 125mA
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package 6-TSSOP
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8 Ohm @ 10mA, 4V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 18.5pF @ 5V
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
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Otros incluyen   "PMGD8"   partes

Las siguientes partes incluyen  'PMGD8' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
PMGD8000LN NXP CIs Calientes Especializados 31343
PMGD8000LN ,115 NEXP CIs Calientes Especializados 5445
PMGD8000LN,115 NXP USA Inc. Matrices de transistores MOSFETs

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