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PMDT670UPE,115
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PMDT670UPE,115 Especificaciones técnicas
MOSFET 2P-CH 20V 0.55A SOT666
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices |
Manufacturer | Nexperia |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1.3V @ 250µA |
Series | Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ |
Power - Max | 330mW |
Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.14nC @ 4.5V |
FET Feature | Logic Level Gate |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 550mA |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Supplier Device Package | SOT-666 |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 850 mOhm @ 400mA, 4.5V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 87pF @ 10V |
FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
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Hojas de datos
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Otros incluyen "PMDT6" partes
Las siguientes partes incluyen 'PMDT6'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
PMDT670UPE | NXP Semiconductors / Freescale | CIs Calientes Especializados | 3351 |
PMDT670UPE,115 | Nexperia USA Inc. | Matrices de transistores MOSFETs |
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