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PHE13003C,412 Especificaciones técnicas

TRANS NPN 400V 1.5A SOT54

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual
Manufacturer WeEn Semiconductors Co., Ltd
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 400V
Transistor Type NPN
Power - Max 2.1W
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type Through Hole
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 5 @ 1A, 2V
Current - Collector (Ic) (Max) 1.5A
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1.5V @ 500mA, 1.5A
Supplier Device Package TO-92-3
Packaging Bulk
Operating Temperature 150°C (TJ)
Frequency - Transition -
Current - Collector Cutoff (Max) 100µA
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Otros incluyen   "PHE13"   partes

Las siguientes partes incluyen  'PHE13' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
PHE13003A NXP Semiconductors / Freescale CIs Calientes Especializados 4179
PHE13003A,126 WeEn Semiconductors Co., Ltd Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2648
PHE13003A,126 WeEn Semiconductors Transistores BJT individuales
PHE13003A,412 WeEn Semiconductors Co., Ltd Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2646
PHE13003A,412 WeEn Semiconductors Transistores BJT individuales
PHE13003C NXP CIs Calientes Especializados 9650
PHE13003C ,126 IC NXP Semiconductors / Freescale CIs Calientes Especializados 631
PHE13003C,126 WeEn Semiconductors Co., Ltd Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2518
PHE13003C,126 WeEn Semiconductors Transistores BJT individuales
PHE13003C,412 WeEn Semiconductors Transistores BJT individuales

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