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PHD21N06LT,118
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PHD21N06LT,118 Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH 55V 19A DPAK
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | NXP Semiconductors / Freescale |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
Supplier Device Package | DPAK |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 70 mOhm @ 10A, 10V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 650pF @ 25V |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | TrenchMOS™ |
Power Dissipation (Max) | 56W (Tc) |
Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9.4nC @ 5V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 19A (Tc) |
PHD21N06LT,118 Documentos
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Hojas de datos
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Otros incluyen "PHD21" partes
Las siguientes partes incluyen 'PHD21'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
PHD21N06LT | N | CIs Calientes Especializados | 49508 |
PHD21N06LT MOS | NXP Semiconductors / Freescale | CIs Calientes Especializados | 729 |
PHD21N06LT.118 | NXP | CIs Calientes Especializados | 537 |
PHD21NQ20T | VB | CIs Calientes Especializados | 33216 |
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