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PHD20N06T,118 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 55V 18A DPAK

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Nexperia
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 1mA
Supplier Device Package DPAK
Rds On (Max) @ Id, Vgs 77 mOhm @ 10A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 422pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 55V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchMOS™
Power Dissipation (Max) 51W (Tc)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 18A (Tc)
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Otros incluyen   "PHD20"   partes

Las siguientes partes incluyen  'PHD20' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
PHD20161B-2R2MS Original CIs Calientes Especializados 16000
PHD20161B-R47MS Cyntec / Delta Electronics CIs Calientes Especializados 2295
PHD20161T-2R2MSR 20161T 2.2UH Cyntec / Delta Electronics CIs Calientes Especializados 600
PHD20161T-2R2MSR 20161T 2.2UH 20% Cyntec / Delta Electronics CIs Calientes Especializados 600
PHD20161T-4R7MS Cyntec / Delta Electronics CIs Calientes Especializados 2275
PHD20N06LT NXP CIs Calientes Especializados 2289
PHD20N06T N CIs Calientes Especializados 66596
PHD20N06T MOS NXP Semiconductors / Freescale CIs Calientes Especializados 18703
PHD20N06T,118 Nexperia USA Inc. Transistores MOSFET individuales
PHD20N06T118 N CIs Calientes Especializados 10500

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