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PEMT1,315
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PEMT1,315 Especificaciones técnicas
TRANS 2PNP 40V 0.1A SOT666
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices |
Manufacturer | Nexperia |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 40V |
Transistor Type | 2 PNP (Dual) |
Power - Max | 300mW |
Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
Mounting Type | Surface Mount |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 1mA, 6V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 200mV @ 5mA, 50mA |
Supplier Device Package | SOT-666 |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | 150°C (TJ) |
Frequency - Transition | 100MHz |
Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
PEMT1,315 Documentos
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Hojas de datos
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Otros incluyen "PEMT1" partes
Las siguientes partes incluyen 'PEMT1'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
PEMT1 | NXP | CIs Calientes Especializados | 401553 |
PEMT1,115 | Nexperia | Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices | 2709 |
PEMT1,115 | Nexperia USA Inc. | Matrices BJT Transistores | |
PEMT1,315 | Nexperia USA Inc. | Matrices BJT Transistores | |
PEMT1/DG | NXP | CIs Calientes Especializados | 130980 |
PEMT1/DG ,115 | NXP Semiconductors / Freescale | CIs Calientes Especializados | 376242 |
PEMT1/DG,115 | NXP | CIs Calientes Especializados | 376000 |
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