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PBSS8510PA,115 Especificaciones técnicas

TRANS NPN 100V 5.2A SOT1061

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual
Manufacturer Nexperia
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 100V
Transistor Type NPN
Power - Max 2.1W
Package / Case 3-UDFN
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 95 @ 2A, 2V
Current - Collector (Ic) (Max) 5.2A
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 340mV @ 260mA, 5.2A
Supplier Device Package 3-HUSON (2x2)
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature 150°C (TJ)
Frequency - Transition 150MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA
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Otros incluyen   "PBSS8"   partes

Las siguientes partes incluyen  'PBSS8' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
PBSS8110AS NXP CIs Calientes Especializados 411
PBSS8110AS,126 NXP Semiconductors / Freescale Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2590
PBSS8110D NXP CIs Calientes Especializados 3442
PBSS8110D ,115 NXP Semiconductors / Freescale CIs Calientes Especializados 3475
PBSS8110D,115 Nexperia Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2737
PBSS8110D,115 Nexperia USA Inc. Transistores BJT individuales
PBSS8110D@115 NXP CIs Calientes Especializados 3000
PBSS8110S NXP CIs Calientes Especializados 2553
PBSS8110S,126 NXP Semiconductors / Freescale Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2553
PBSS8110T NXP CIs Calientes Especializados 253

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