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PBSS8110AS,126 Especificaciones técnicas

TRANS NPN 100V 1A TO92

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual
Manufacturer NXP Semiconductors / Freescale
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 100V
Transistor Type NPN
Power - Max 830mW
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Mounting Type Through Hole
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 150 @ 250mA, 10V
Current - Collector (Ic) (Max) 1A
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 200mV @ 100mA, 1A
Supplier Device Package TO-92-3
Packaging Tape & Box (TB)
Operating Temperature 150°C (TJ)
Frequency - Transition 100MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA
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Otros incluyen   "PBSS8"   partes

Las siguientes partes incluyen  'PBSS8' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
PBSS8110AS NXP CIs Calientes Especializados 411
PBSS8110D NXP CIs Calientes Especializados 3442
PBSS8110D ,115 NXP Semiconductors / Freescale CIs Calientes Especializados 3475
PBSS8110D,115 Nexperia Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2737
PBSS8110D,115 Nexperia USA Inc. Transistores BJT individuales
PBSS8110D@115 NXP CIs Calientes Especializados 3000
PBSS8110S NXP CIs Calientes Especializados 2553
PBSS8110S,126 NXP Semiconductors / Freescale Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2553
PBSS8110T NXP CIs Calientes Especializados 253
PBSS8110T,215 Nexperia Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2617

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