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PBRN113ET,215
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PBRN113ET,215 Especificaciones técnicas
TRANS PREBIAS NPN 250MW TO236AB
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados |
Manufacturer | Nexperia |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 40V |
Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) | 1k |
Power - Max | 250mW |
Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Frequency - Transition | - |
Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.15V @ 8mA, 800mA |
Supplier Device Package | TO-236AB (SOT23) |
Resistor - Base (R1) (Ohms) | 1k |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Mounting Type | Surface Mount |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 180 @ 300mA, 5V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 600mA |
PBRN113ET,215 Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para PBRN113ET,215
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Hojas de datos
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Otros incluyen "PBRN1" partes
Las siguientes partes incluyen 'PBRN1'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
PBRN113EK,115 | NXP Semiconductors / Freescale | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados | 2756 |
PBRN113EK,115 | NXP USA Inc. | Transistores BJT Pre-Biasados | |
PBRN113ES,126 | NXP Semiconductors / Freescale | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados | 2555 |
PBRN113ES,126 | NXP USA Inc. | Transistores BJT Pre-Biasados | |
PBRN113ET | NXP | CIs Calientes Especializados | 1282 |
PBRN113ET,215 | Nexperia USA Inc. | Transistores BJT Pre-Biasados | |
PBRN113ZK,115 | NXP Semiconductors / Freescale | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados | 2527 |
PBRN113ZK,115 | NXP USA Inc. | Transistores BJT Pre-Biasados | |
PBRN113ZS,126 | NXP Semiconductors / Freescale | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados | 2795 |
PBRN113ZS,126 | NXP USA Inc. | Transistores BJT Pre-Biasados |
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