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NTD80N02T4
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NTD80N02T4 Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH 24V 80A DPAK
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Supplier Device Package | DPAK |
Power Dissipation (Max) | 75W (Tc) |
Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 42nC @ 4.5V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 80A (Tc) |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.8 mOhm @ 80A, 10V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2600pF @ 20V |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 24V |
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Hojas de datos
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Otros incluyen "NTD80" partes
Las siguientes partes incluyen 'NTD80'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
NTD80N02 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 616 |
NTD80N02-001 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 5304 |
NTD80N02-001 | ON Semiconductor | Transistores MOSFET individuales | |
NTD80N02-1 | ON | CIs Calientes Especializados | 957 |
NTD80N02-1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 11029 |
NTD80N02-1G IC | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 471 |
NTD80N02G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 23983 |
NTD80N02G MOS | VBSEMI | CIs Calientes Especializados | 10532 |
NTD80N02T4 | Rochester Electronics, LLC | NTD80N02T4 | |
NTD80N02T4 NTD80N02 MOS | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 50320 |
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