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NTD3808N-35G Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 16V 12A IPAK

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package I-Pak
Power Dissipation (Max) 1.3W (Ta), 52W (Tc)
Package / Case TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 21nC @ 4.5V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 12A (Ta), 76A (Tc)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.8 mOhm @ 15A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1660pF @ 12V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 16V
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
NTD3808N-1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2783
NTD3808N-1G Rochester Electronics, LLC Transistores MOSFET individuales
NTD3808N-35G Rochester Electronics, LLC NTD3808N-35G
NTD3808NT4G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 10000
NTD3813N-1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2535
NTD3813N-1G Rochester Electronics, LLC Transistores MOSFET individuales
NTD3813N-35G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2736
NTD3813NT4G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 10275
NTD3813NT4G ON Semiconductor Transistores MOSFET individuales
NTD3817N-1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2637

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