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NSM21156DW6T1G
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NSM21156DW6T1G Especificaciones técnicas
TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT363
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices, Prepolarizados |
Manufacturer | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V, 65V |
Transistor Type | 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP |
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) | 10k |
Power - Max | 230mW |
Package / Case | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Frequency - Transition | - |
Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA / 300mV @ 500µA, 10mA |
Supplier Device Package | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
Resistor - Base (R1) (Ohms) | 10k |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Mounting Type | Surface Mount |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 35 @ 5mA, 10V / 220 @ 2mA, 5V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
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Hojas de datos
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Otros incluyen "NSM21" partes
Las siguientes partes incluyen 'NSM21'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
NSM2101J280JR | OHIZUMI | CIs Calientes Especializados | 3360 |
NSM2103F344F3R | OHIZ | CIs Calientes Especializados | 11340 |
NSM2103J344F3R | Original | CIs Calientes Especializados | 484 |
NSM2104J425G3R | JAPAN | CIs Calientes Especializados | 2204 |
NSM21156DW6T1G | ON Semiconductor | Matrices de transistores BJT | |
NSM21156DW6T1G | Rochester Electronics, LLC | Matrices de transistores BJT | |
NSM21356DW6T1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices, Prepolarizados | 2752 |
NSM21356DW6T1G | Rochester Electronics, LLC | Matrices de transistores BJT | |
NSM21356DW6T1G | ON Semiconductor | Matrices de transistores BJT |
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