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NSCT817-25LT3G
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NSCT817-25LT3G Especificaciones técnicas
TRANS NPN 45V 0.5A SOT-23
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual |
Manufacturer | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 45V |
Transistor Type | NPN |
Power - Max | 225mW |
Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Mounting Type | Surface Mount |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 160 @ 100mA, 1V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 500mA |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 700mV @ 50mA, 500mA |
Supplier Device Package | SOT-23-3 (TO-236) |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Frequency - Transition | 100MHz |
Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
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Hojas de datos
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Las siguientes partes incluyen 'NSCT8'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
NSCT817-25LT1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 2622 |
NSCT817-25LT1G | ON Semiconductor | Transistores BJT individuales | |
NSCT817-25LT3G | Rochester Electronics, LLC | Transistores BJT individuales | |
NSCT817-25LT3G | ON Semiconductor | Transistores BJT individuales | |
NSCT817-40LT1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 2763 |
NSCT817-40LT1G | ON Semiconductor | Transistores BJT individuales | |
NSCT817-40LT3G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 2748 |
NSCT817-40LT3G | ON Semiconductor | Transistores BJT individuales |
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