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NSBA123JDXV6T1G
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NSBA123JDXV6T1G Especificaciones técnicas
TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices, Prepolarizados |
Manufacturer | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Transistor Type | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) | 47k |
Power - Max | 500mW |
Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
Frequency - Transition | - |
Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Supplier Device Package | SOT-563 |
Resistor - Base (R1) (Ohms) | 2.2k |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Mounting Type | Surface Mount |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
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Las siguientes partes incluyen 'NSBA1'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
NSBA113EDXV6T1 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices, Prepolarizados | 2561 |
NSBA113EDXV6T1 | ON Semiconductor | Matrices de transistores BJT | |
NSBA113EDXV6T1 | Rochester Electronics, LLC | Matrices de transistores BJT | |
NSBA113EDXV6T1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices, Prepolarizados | 2743 |
NSBA113EDXV6T1G | ON Semiconductor | Matrices de transistores BJT | |
NSBA113EF3T5G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados | 2635 |
NSBA113EF3T5G | ON Semiconductor | Transistores BJT Pre-Biasados | |
NSBA114EDP6T5G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices, Prepolarizados | 6222 |
NSBA114EDP6T5G | ON Semiconductor | Matrices de transistores BJT | |
NSBA114EDXV6T1 | ON | CIs Calientes Especializados | 5048 |
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