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NGTB50N60FLWG Especificaciones técnicas

IGBT 600V 50A TO247

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - IGBTs - Individual
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
Test Condition 400V, 50A, 10 Ohm, 15V
Switching Energy 1.1mJ (on), 600µJ (off)
Reverse Recovery Time (trr) 85ns
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type Standard
Gate Charge 310nC
Current - Collector (Ic) (Max) 100A
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.9V @ 15V, 50A
Td (on/off) @ 25°C 116ns/292ns
Supplier Device Package TO-247
Power - Max 223W
Package / Case TO-247-3
Mounting Type Through Hole
IGBT Type Trench Field Stop
Current - Collector Pulsed (Icm) 200A
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
NGTB50N120FL2WAG AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - IGBTs - Individual 2654
NGTB50N120FL2WAG ON Semiconductor IGBTs individuales
NGTB50N120FL2WG AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - IGBTs - Individual 6241
NGTB50N120FL2WG ON Semiconductor IGBTs individuales
NGTB50N60FL2WG AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - IGBTs - Individual 13696
NGTB50N60FL2WG ON Semiconductor IGBTs individuales
NGTB50N60FLWG ON Semiconductor IGBTs individuales
NGTB50N60FLWG Rochester Electronics, LLC IGBTs individuales
NGTB50N60FWG AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - IGBTs - Individual 2772
NGTB50N60FWG ON Semiconductor IGBTs individuales

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