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NGTB30N120IHLWG Especificaciones técnicas

IGBT 1200V 30A TO247

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - IGBTs - Individual
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Test Condition 600V, 30A, 10 Ohm, 15V
Switching Energy 1mJ (off)
Power - Max 260W
Package / Case TO-247-3
Mounting Type Through Hole
IGBT Type Trench Field Stop
Current - Collector Pulsed (Icm) 320A
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 30A
Td (on/off) @ 25°C -/360ns
Supplier Device Package TO-247
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type Standard
Gate Charge 420nC
Current - Collector (Ic) (Max) 60A
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
NGTB30N120FL2WG AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - IGBTs - Individual 448
NGTB30N120FL2WG ON Semiconductor IGBTs individuales
NGTB30N120IHLWG ON Semiconductor IGBTs individuales
NGTB30N120IHLWG Rochester Electronics, LLC IGBTs individuales
NGTB30N120IHRWG AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - IGBTs - Individual 2526
NGTB30N120IHRWG ON Semiconductor IGBTs individuales
NGTB30N120IHRWG Rochester Electronics, LLC IGBTs individuales
NGTB30N120IHSWG AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - IGBTs - Individual 2773
NGTB30N120IHSWG ON Semiconductor IGBTs individuales
NGTB30N120IHSWG Rochester Electronics, LLC IGBTs individuales

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