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NE851M13-T3-A
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NE851M13-T3-A Especificaciones técnicas
TRANS NPN LOW PRO M13 SMD
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - RF |
Manufacturer | CEL (California Eastern Laboratories) |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 5.5V |
Supplier Device Package | M13 |
Packaging | Original-Reel® |
Operating Temperature | 150°C (TJ) |
Mounting Type | Surface Mount |
Frequency - Transition | 4.5GHz |
Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Transistor Type | NPN |
Power - Max | 140mW |
Package / Case | SOT-3 |
Noise Figure (dB Typ @ f) | 1.9dB ~ 2.5dB @ 2GHz |
Gain | 4dB ~ 5.5dB @ 2GHZ |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 5mA, 1V |
NE851M13-T3-A Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para NE851M13-T3-A
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Hojas de datos
2.NE851M13-T3-A.pdf 1.NE851M13-T3-A.pdf
Otros incluyen "NE851" partes
Las siguientes partes incluyen 'NE851'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
NE851M03-A | CEL (California Eastern Laboratories) | Transistores - Bipolares (BJT) - RF | 2516 |
NE851M03-A | CEL | Transistores BJT RF | |
NE851M03-T1-A | NEC | CIs Calientes Especializados | 2402 |
NE851M13 | NEC | CIs Especializados | 50390 |
NE851M13-T3-A | CEL | Transistores BJT RF | |
NE851M33-A | CEL (California Eastern Laboratories) | Transistores - Bipolares (BJT) - RF | 2578 |
NE851M33-A | CEL | Transistores BJT RF | |
NE851M33-T3-A | CEL (California Eastern Laboratories) | Transistores - Bipolares (BJT) - RF | 2571 |
NE851M33-T3-A | CEL | Transistores BJT RF |
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