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NE68719-T1
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NE68719-T1 Especificaciones técnicas
TRANS NPN 2GHZ SMD
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - RF |
Manufacturer | CEL (California Eastern Laboratories) |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 3V |
Supplier Device Package | 3-SuperMiniMold (19) |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | 150°C (TJ) |
Mounting Type | Surface Mount |
Frequency - Transition | 11GHz |
Current - Collector (Ic) (Max) | 30mA |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Transistor Type | NPN |
Power - Max | 90mW |
Package / Case | SOT-523 |
Noise Figure (dB Typ @ f) | 1.3dB ~ 2dB @ 2GHz |
Gain | - |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 20mA, 2V |
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Hojas de datos
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Otros incluyen "NE687" partes
Las siguientes partes incluyen 'NE687'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
NE68718-T1-A | NEC | CIs Calientes Especializados | 3274 |
NE68719 | NEC | CIs Calientes Especializados | 4000 |
NE68719-T1 | CEL | Transistores BJT RF | |
NE68719-T1-A | NEC | CIs Calientes Especializados | 21513 |
NE68730-T1 | CEL (California Eastern Laboratories) | Transistores - Bipolares (BJT) - RF | 2638 |
NE68730-T1 | CEL | Transistores BJT RF | |
NE68730-T1-A | RENESAS | CIs Calientes Especializados | 2740 |
NE687M03-A | CEL (California Eastern Laboratories) | Transistores - Bipolares (BJT) - RF | 2733 |
NE687M03-A | CEL | Transistores BJT RF | |
NE687M03-T1 | NEC | CIs Calientes Especializados | 3052 |
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