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NE663M04-A
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NE663M04-A Especificaciones técnicas
RF TRANSISTOR NPN SOT-343F
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - RF |
Manufacturer | CEL (California Eastern Laboratories) |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 3.3V |
Supplier Device Package | SOT-343F |
Packaging | Bulk |
Operating Temperature | 150°C (TJ) |
Mounting Type | Surface Mount |
Frequency - Transition | 15GHz |
Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Transistor Type | NPN |
Power - Max | 190mW |
Package / Case | SOT-343F |
Noise Figure (dB Typ @ f) | 1.2dB @ 2GHz |
Gain | 14dB |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 10mA, 2V |
NE663M04-A Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para NE663M04-A
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Hojas de datos
1.NE663M04-A.pdf 2.NE663M04-A.pdf
Otros incluyen "NE663" partes
Las siguientes partes incluyen 'NE663'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
NE663M04-A | CEL | Transistores BJT RF | |
NE663M04-EVPW08 | CEL (California Eastern Laboratories) | Kits de Evaluación y Desarrollo de RF, Placas | 2785 |
NE663M04-EVPW08 | CEL | Placas RF | |
NE663M04-EVPW19 | CEL (California Eastern Laboratories) | Kits de Evaluación y Desarrollo de RF, Placas | 2766 |
NE663M04-EVPW19 | CEL | Placas RF | |
NE663M04-T2-A | CEL (California Eastern Laboratories) | Transistores - Bipolares (BJT) - RF | 9764 |
NE663M04-T2-A | CEL | Transistores BJT RF |
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