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MSB709-RT1G
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MSB709-RT1G Especificaciones técnicas
TRANS PNP 45V 0.1A SC59
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual |
Manufacturer | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 45V |
Transistor Type | PNP |
Power - Max | 200mW |
Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Mounting Type | Surface Mount |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 210 @ 2mA, 10V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 10mA, 100mA |
Supplier Device Package | SC-59 |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | 150°C (TJ) |
Frequency - Transition | - |
Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA |
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Hojas de datos
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Las siguientes partes incluyen 'MSB70'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
MSB709 | ON | CIs Calientes Especializados | 15500 |
MSB709-R | ON | CIs Calientes Especializados | 63474 |
MSB709-RT1 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 67841 |
MSB709-RT1 | ON Semiconductor | Transistores BJT individuales | |
MSB709-RT1 | Rochester Electronics, LLC | Transistores BJT individuales | |
MSB709-RT1G | ON Semiconductor | Transistores BJT individuales | |
MSB709-RT1G | Rochester Electronics, LLC | Transistores BJT individuales | |
MSB709-RT2 | ON | CIs Calientes Especializados | 3379 |
MSB709-RTIG | ON | CIs Calientes Especializados | 8644 |
MSB709LT1G | LRC | CIs Calientes Especializados | 30275 |
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