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MS2472 Especificaciones técnicas
TRANS RF BIPO 1350W 40A M112
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - RF |
Manufacturer | Microsemi |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 65V |
Supplier Device Package | M112 |
Packaging | Bulk |
Operating Temperature | 200°C (TJ) |
Mounting Type | Chassis Mount |
Frequency - Transition | 1.025GHz ~ 1.15GHz |
Current - Collector (Ic) (Max) | 40A |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Transistor Type | NPN |
Power - Max | 1350W |
Package / Case | M112 |
Noise Figure (dB Typ @ f) | - |
Gain | 5.6dB |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 5 @ 250mA, 5V |
MS2472 Documentos
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-
Hojas de datos
MS2472.pdf
Otros incluyen "MS247" partes
Las siguientes partes incluyen 'MS247'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
MS2472 | Microsemi Corporation | Transistores BJT RF | |
MS2473 | Microsemi | Transistores - Bipolares (BJT) - RF | 2526 |
MS2473 | Microsemi Corporation | Transistores BJT RF | |
MS2473A | Microsemi | Transistores - Bipolares (BJT) - RF | 0 |
MS2473A | Microsemi Corporation | Transistores BJT RF | |
MS2477 | Microsemi | Transistores - Bipolares (BJT) - RF | 2668 |
MS2477 | Microsemi Corporation | Transistores BJT RF |
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