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MRF586 Especificaciones técnicas
TRANS RF BIPO 1W 200MA TO39
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - RF |
Manufacturer | Microsemi |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 17V |
Supplier Device Package | TO-39 |
Packaging | Bulk |
Operating Temperature | - |
Mounting Type | Through Hole |
Frequency - Transition | 3GHz |
Current - Collector (Ic) (Max) | 200mA |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Transistor Type | NPN |
Power - Max | 1W |
Package / Case | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can |
Noise Figure (dB Typ @ f) | - |
Gain | 13.5dB |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 40 @ 50mA, 5V |
MRF586 Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para MRF586
-
Hojas de datos
MRF586.pdf
Otros incluyen "MRF58" partes
Las siguientes partes incluyen 'MRF58'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
MRF580 | MOTO | CIs Calientes Especializados | 10 |
MRF580A | MOT | CIs Calientes Especializados | 10 |
MRF581 | Microsemi | Transistores - Bipolares (BJT) - RF | 9426 |
MRF581 | Microsemi Corporation | Transistores BJT RF | |
MRF5811T1G | ON | CIs Calientes Especializados | 3600 |
MRF5812 | Microsemi | Transistores - Bipolares (BJT) - RF | 2663 |
MRF5812 | Microsemi Corporation | Transistores BJT RF | |
MRF5812G | Microsemi | Transistores - Bipolares (BJT) - RF | 7400 |
MRF5812G | Microsemi Corporation | Transistores BJT RF | |
MRF5812GR1 | Microsemi | Transistores - Bipolares (BJT) - RF | 2629 |
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