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MRF5812G Especificaciones técnicas

TRANS NPN 15V 200MA SO8

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - RF
Manufacturer Microsemi
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 15V
Supplier Device Package 8-SO
Packaging Bulk
Operating Temperature -
Mounting Type Surface Mount
Frequency - Transition 5GHz
Current - Collector (Ic) (Max) 200mA
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Transistor Type NPN
Power - Max 1.25W
Package / Case 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Noise Figure (dB Typ @ f) 2dB ~ 3dB @ 500MHz
Gain 13dB ~ 15.5dB
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 50 @ 50mA, 5V
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
MRF580 MOTO CIs Calientes Especializados 10
MRF580A MOT CIs Calientes Especializados 10
MRF581 Microsemi Transistores - Bipolares (BJT) - RF 9426
MRF581 Microsemi Corporation Transistores BJT RF
MRF5811T1G ON CIs Calientes Especializados 3600
MRF5812 Microsemi Transistores - Bipolares (BJT) - RF 2663
MRF5812 Microsemi Corporation Transistores BJT RF
MRF5812G Microsemi Corporation Transistores BJT RF
MRF5812GR1 Microsemi Transistores - Bipolares (BJT) - RF 2629
MRF5812GR1 Microsemi Corporation Transistores BJT RF

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