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MPSW63RLRAG Especificaciones técnicas

TRANS PNP DARL 30V 0.5A TO-92

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 30V
Transistor Type PNP - Darlington
Power - Max 1W
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
Mounting Type Through Hole
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 10000 @ 100mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max) 500mA
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1.5V @ 100µA, 100mA
Supplier Device Package TO-92
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Frequency - Transition 125MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
MPSW63 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2661
MPSW63 ON Semiconductor Transistores BJT individuales
MPSW63G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2622
MPSW63G ON Semiconductor Transistores BJT individuales
MPSW63G Rochester Electronics, LLC Transistores BJT individuales
MPSW63RLRA AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2702
MPSW63RLRA ON Semiconductor Transistores BJT individuales
MPSW63RLRAG ON Semiconductor Transistores BJT individuales
MPSW63RLRAG Rochester Electronics, LLC Transistores BJT individuales

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