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MPS6601 Especificaciones técnicas

TRANS NPN 25V 1A TO92

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 25V
Transistor Type NPN
Power - Max 625mW
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type Through Hole
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 50 @ 500mA, 1V
Current - Collector (Ic) (Max) 1A
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 600mV @ 100mA, 1A
Supplier Device Package TO-92-3
Packaging Bulk
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Frequency - Transition 100MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
MPS6601 ON Semiconductor Transistores BJT individuales
MPS6601 Rochester Electronics, LLC Transistores BJT individuales
MPS6601G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2645
MPS6601G Rochester Electronics, LLC Transistores BJT individuales
MPS6601G ON Semiconductor Transistores BJT individuales
MPS6601RLRA AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2543
MPS6601RLRA ON Semiconductor Transistores BJT individuales
MPS6601RLRAG AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2692
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MPS6602 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2687

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