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MPS4250G Especificaciones técnicas

TRANS PNP 40V 0.05A TO-92

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 40V
Transistor Type PNP
Power - Max 625mW
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type Through Hole
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 250 @ 10mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max) 50mA
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 500µA, 10mA
Supplier Device Package TO-92-3
Packaging Bulk
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Frequency - Transition -
Current - Collector Cutoff (Max) 10nA (ICBO)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
MPS4250 Rochester Electronics, LLC Transistores BJT Pre-Biasados
MPS4250ARLRM AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2787
MPS4250ARLRM ON Semiconductor Transistores BJT individuales
MPS4250ARLRM Rochester Electronics, LLC Transistores BJT individuales
MPS4250ARLRMG AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2622
MPS4250ARLRMG ON Semiconductor Transistores BJT individuales
MPS4250ARLRMG Rochester Electronics, LLC Transistores BJT individuales
MPS4250G ON Semiconductor Transistores BJT individuales
MPS4250G Rochester Electronics, LLC Transistores BJT individuales

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