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MMJT9410T1G Especificaciones técnicas

TRANS NPN 30V 3A SOT223

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 30V
Transistor Type NPN
Power - Max 3W
Package / Case TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 85 @ 800mA, 1V
Current - Collector (Ic) (Max) 3A
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 450mV @ 300mA, 3A
Supplier Device Package SOT-223
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Frequency - Transition 72MHz
Current - Collector Cutoff (Max) -
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
MMJT9410 ON CIs Calientes Especializados 623
MMJT9410G ON CIs Calientes Especializados 3000
MMJT9410T1 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2660
MMJT9410T1 ON Semiconductor Transistores BJT individuales
MMJT9410T1G ON Semiconductor Transistores BJT individuales
MMJT9410T1G Rochester Electronics, LLC Transistores BJT individuales
MMJT9410T1G IC AMI Semiconductor / ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 2224
MMJT9410T1G/MMJT9435 ON CIs Calientes Especializados 2513
MMJT9435 ON CIs Calientes Especializados 18100
MMJT9435 MOS AMI Semiconductor / ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 16061

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