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MDS800 Especificaciones técnicas
TRANS RF BIPO 1458W 60A 55ST1
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - RF |
Manufacturer | Microsemi |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 65V |
Supplier Device Package | 55ST-1 |
Packaging | Bulk |
Operating Temperature | 200°C (TJ) |
Mounting Type | Chassis Mount |
Frequency - Transition | 1.09GHz |
Current - Collector (Ic) (Max) | 60A |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Transistor Type | NPN |
Power - Max | 1458W |
Package / Case | 55ST-1 |
Noise Figure (dB Typ @ f) | - |
Gain | 8.6dB |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 20 @ 1A, 5V |
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-
Hojas de datos
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Otros incluyen "MDS80" partes
Las siguientes partes incluyen 'MDS80'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
MDS80-1000 | ST | Módulos IGBT | 2879 |
MDS80-1200 | IGBT Module | Módulos IGBT | 2924 |
MDS80-800 | ST | Módulos IGBT | 2983 |
MDS800 | Microsemi Corporation | Transistores BJT RF | |
MDS800-1200 | ST | Módulos IGBT | 2706 |
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