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MDS140L Especificaciones técnicas

TRANS RF BIPO 500W 12A 55AW1

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - RF
Manufacturer Microsemi
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 70V
Supplier Device Package 55AW
Packaging Bulk
Operating Temperature 200°C (TJ)
Mounting Type Chassis Mount
Frequency - Transition 1.03GHz ~ 1.09GHz
Current - Collector (Ic) (Max) 12A
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Transistor Type NPN
Power - Max 500W
Package / Case 55AW
Noise Figure (dB Typ @ f) -
Gain 9.5dB
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 20 @ 1A, 5V
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MDS140L Microsemi Corporation Transistores BJT RF

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